Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6

  • А. И. Ткачук Кировоградский гос. педагогический ун-т им. Владимира Винниченко, Украина
  • О. Н. Царенко Кировоградский гос. педагогический ун-т им. Владимира Винниченко, Украина
  • С. И. Рябец Кировоградский гос. педагогический ун-т им. Владимира Винниченко, Украина
  • И. Ю. Ткачук Кировоградский гос. педагогический ун-т им. Владимира Винниченко, Украина
  • Ю. Г. Ковалёв Кировоградский гос. педагогический ун-т им. Владимира Винниченко, Украина
Ключові слова: жидкофазная эпитаксия, поверхностно-барьерные структуры, фотовольтаический сенсор

Анотація

Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напыления получены поверхностно-барьерные структуры Pb/δ-слой/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. При температуре измерений 170 К, пиковой длине волны 8,2 мкм и длине волны отсечки 8,5 мкм они имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь R0A=0,39…0,92 Ом·cм2, пиковую квантовую эффективность 0,33…0,42 и удельную обнаружительную способность (0,76…1,68)·1010 см·Гц1/2/Вт.

Опубліковано
2007-02-28
Як цитувати
Ткачук, А. И., Царенко, О. Н., Рябец, С. И., Ткачук, И. Ю., & Ковалёв, Ю. Г. (2007). Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 42-44. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42
Номер
№ 1 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Ткачук А. И., Царенко О. Н., Рябец С. И., Ткачук И. Ю., Ковалёв Ю. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.