Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

  • В. В. Кушниренко Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • Г. К. Нинидзе Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • С. П. Павлюк Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • С. М. Савицкий Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
  • О. В. Третяк Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, Украина
Ключові слова: час життя неосновних носіїв, центри рекомбінації, напівпровідниковий діод, імпульсне нагрівання струмом, p –n-перехід

Анотація

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105–КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации.

Опубліковано
2007-02-28
Як цитувати
Кушниренко, В. В., Нинидзе, Г. К., Павлюк, С. П., Савицкий, С. М., & Третяк, О. В. (2007). Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 32-35. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32
Номер
№ 1 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2007 Кушниренко В. В., Нинидзе Г. К., Павлюк С. П., Савицкий С. М., Третяк О. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.