Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики

  • А. Ф. Белянин ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • В. А. Кривченко ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • Д. В. Лопаев ЦНИТИ «Техномаш-ВОС», Москва, Россия
  • Л. В. Павлушкин НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • П. В. Пащенко НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • В. Г. пирогов НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • С. Н. Поляков НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, Москва, Россия
  • Н. В. Суетин МарГТУ, Йошкар-Ола, Россия
  • Н. И. Сушенцов МарГТУ, Йошкар-Ола, Россия
  • Н. В. Суетин МарГТУ, Йошкар-Ола, Россия
Ключові слова: пленки ZnO, магнетронное распыление, электроника, оптика

Анотація

Пленки ZnO получены методом магнетронного ВЧ-распыления. Применялось дополнительное магнитное поле, создаваемое магнитной системой, помещенной за подложкодержателем. Установлено влияние параметров процесса на строение и функциональные свойства пленок. Пленки ZnO использовались при создании фильтров на поверхностных акустических волнах и зеркал УФ-диапазона.

Опубліковано
2006-02-28
Як цитувати
Белянин, А. Ф., Кривченко, В. А., Лопаев, Д. В., Павлушкин, Л. В., Пащенко, П. В., пирогов, В. Г., Поляков, С. Н., Суетин, Н. В., Сушенцов, Н. И., & Суетин, Н. В. (2006). Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 48-55. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.48
Номер
№ 6 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Белянин А. Ф., Кривченко В. А., Лопаев Д. В., Павлушкин Л. В., Пащенко П. В., Пирогов В. Г., Поляков С. Н., Суетин Н. В., Сушенцов Н. И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.