Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона

  • Н. А. Филинюк Винницкий национальный технический университет, Украина
  • А. М. Куземко Винницкий национальный технический университет, Украина
  • Салех М. М. Журбан Винницкий национальный технический университет, Украина
Ключові слова: полевой транзистор, негатрон, активная индуктивность, СВЧ, интегральная схема

Анотація

Разработаны схемы комбинированных полупроводниковых индуктивностей, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы. Использование двухзатворных транзисторов Шоттки позволяет реализовать полупроводниковые индуктивности величиной в несколько наногенри на частоте 18–20 ГГц при коэффициенте температурной нестабильности 0,07 %·°С–1 в температурном диапазоне 0–40°С. В отличие от пленочных индуктивностей они обладают большей индуктивностью и добротностью, которая не зависит от геометрических размеров.

Опубліковано
2006-10-30
Як цитувати
Филинюк, Н. А., Куземко, А. М., & Журбан, С. М. М. (2006). Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 9-13. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.09
Номер
№ 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Филинюк Н. А, Куземко А. М., Салех М. М. Журбан

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.