Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн

  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. М. Ковтонюк Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • Ю. Е. Николаенко Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
Ключові слова: диод Ганна, мезаструктура, диборид титана, горячие электроны

Анотація

Разработан AuGe–TiB2–Au контакт к арсениду галлия, обладающий свойством инжектировать горячие электроны. Высота барьера 0,25 эВ для GaAs с концентрацией носителей (0,3…1)·1016 см–3. Разработан корпус диода с емкостью 0,04 пФ. Изготовленные диоды Ганна имеют на основной частоте генерации 80 ГГц выходную СВЧ-мощность порядка 40 мВт с КПД 4%. Диоды стабильно работают в диапазоне температур от –50°С до +60°С и начинают стабильно генерировать с температуры –70°С.

Опубліковано
2006-10-30
Як цитувати
Иванов, В. Н., Ковтонюк, В. М., & Николаенко, Ю. Е. (2006). Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 5-7. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05
Номер
№ 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Иванов В. Н., Ковтонюк В. М., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.