Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs

  • Н. Б. Горев Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • И. Ф. Коджеспирова Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
  • Е. Н. Привалов Институт технической механики НАНУ и НКАУ, Днепропетровск, Украина
Ключові слова: арсенид галлия, полевой транзистор, барьер Шоттки, глубокие центры, ток насыщения, крутизна, напряжение отсечки, разброс параметров

Анотація

Показано, что в случае полевых транзисторов с барьером Шоттки на трехслойных структурах GaAs (пленка — буферный слой — подложка) о разбросе параметров транзисторов, вызванном неоднородным распределением глубоких центров по пластине, можно судить по одной величине, а именно, по эффективной концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка — буферный слой", которая характеризует интегральное влияние глубоких центров в буферном слое и подложке на токоперенос в пленке и может быть определена из низкочастотной вольт-фарадной характеристики.

Опубліковано
2006-08-31
Як цитувати
Горев, Н. Б., Коджеспирова, И. Ф., & Привалов, Е. Н. (2006). Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 36-39. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.36
Номер
№ 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Горев Н. Б., Коджеспирова И. Ф., Привалов Е. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.