Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Ш. Ш. Болтаева Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • Л. Х. Зоирова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: трехбарьерная структура, фоточувствительность, токоперенос, точка перегиба, показатель степени

Анотація

Предложена экспериментально-расчетная методика определения напряжений, падающих на каждом из переходов трехбарьерной структуры. Проанализированы токовые характеристики запираемых переходов и объяснены наблюдаемые в эксперименте асимметричности в трехбарьерной гомо-m1–рGaAs–nGaAs–m2-структуре. Результаты могут быть использованы для оценки фоточувствительности, частотных свойств, выявления механизмов токопереноса при внешних воздействиях.

Опубліковано
2006-08-31
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Болтаева, Ш. Ш., & Зоирова, Л. Х. (2006). Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 30-35. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.30
Номер
№ 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2006 Каримов А. В., Ёдгорова Д. М., Болтаева Ш. Ш., Зоирова Л. Х.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.