Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

  • А. Г. Борисенко Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Б. П. Полозов Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • O. A. Федорович Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев, Украина
  • Н. С. Болтовец Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • В. Н. Иванов Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
  • Ю. Н. Свешников «Элма-малахит», Москва, Россия
Ключові слова: эпитаксиальные слои, нитрид галлия, плазмохимическое травление, плазмохимический реактор

Анотація

Представлены результаты плазмохимического травления эпитаксиальных структур нитрида галлия на сапфировой подложке. Травление проводилось в плазмохимическом реакторе с замкнутым дрейфом электронов. Рабочие газы - ССl4 и его смеси с О2 или Аr. Маской служил никель толщиной 0,5÷0,8 мкм. Получена усредненная скорость травления сложных эпитаксиальных структур с нитридом галлия ≤540 Å/мин с учетом травления сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла для измерений магнитных полей.

Опубліковано
2005-12-30
Як цитувати
Борисенко, А. Г., Полозов, Б. П., ФедоровичO. A., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., & Свешников, Ю. Н. (2005). Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 42-46. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42
Номер
№ 6 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Борисенко А. Г., Полозов Б. П., Федорович О. А., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Свешников Ю. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.