Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ

  • И. И. Ижнин НПП «Карат», Львов, Украина
  • Н. М. Вакив НПП «Карат», Львов, Украина
  • А. И. Ижнин НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. М. Сыворотка НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. Б. Убизский НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. М. Сыворотка НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: микрочиповый лазер, пассивная модуляция добротности, насыщаемый поглотитель, эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ

Анотація

Рассмотрены особенности разработки микрочиповых лазеров с пассивной модуляцией добротности. Активная среда лазера — эпитаксиальный слой насыщаемого поглотителя Cr+4:АИГ, выращенного методом жидкофазной эпитаксии на подложке Nd:АИГ. Лазерные зеркала нанесены методом электронного напыления. Накачка осуществлялась непрерывным полупроводниковым лазером (808 нм). Получены параметры лазерного излучения: длительность импульса 1,3 нс, частота повторения импульсов 5,5 кГц, мощность в импульсе 1,2 кВт.

Опубліковано
2005-12-30
Як цитувати
Ижнин, И. И., Вакив, Н. М., Ижнин, А. И., Сыворотка, И. М., Убизский, С. Б., & Сыворотка, И. М. (2005). Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 30-32. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30
Номер
№ 6 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Ижнин И. И., Вакив Н. М., Ижнин А. И., Сыворотка И. М., Убизский С. Б.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.