Проектирование биполярных микросхем широкополосных усилителей диапазона 40 МГц

  • В. П. Попов НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Н. А. Тимошенко НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Г. А. Слободянюк НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Г. В. Чернецкая НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Г. А. Слободянюк НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: биполярная микросхема, широкополосный усилитель с регулируемым коэффициентом усиления, n-p-n- и p-n-p-транзисторы, SPICE-параметры

Анотація

Представлены результаты проектирования микросхемы широкополосного усилителя с регулируемым коэффициентом усиления. Микросхема, выполняемая по биполярной технологии, содержит основной усилитель, R-2R-аттенюатор, интерфейс регулировки усиления и источник стабильного тока, формирующий напряжения смещения. Применение программы PSPICE и расчетных SPICE-параметров позволило провести моделирование статических и частотных характеристик микросхемы. Полоса пропускания fВ на уровне 3 дБ примерно равна 30 МГц, линейность регулирования усиления в пределах от 0 до 40 дБ не хуже ±0,3 дБ.

Опубліковано
2005-12-30
Як цитувати
Попов, В. П., Тимошенко, Н. А., Слободянюк, Г. А., Чернецкая, Г. В., & Слободянюк, Г. А. (2005). Проектирование биполярных микросхем широкополосных усилителей диапазона 40 МГц. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 20-23. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.20
Номер
№ 6 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Попов В. П., Тимошенко Н. А., Слободянюк Г. А., Чернецкая Г. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.