Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами

  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Ключові слова: двухбарьерная структура, перераспределение напряжения, слой объемного заряда, гетеропереход, металлополупроводниковый переход

Анотація

На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs–nGdS- и модернизированных m-рGaAs–рGaAs–nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувстви­тельности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

Опубліковано
2005-10-30
Як цитувати
Ёдгорова, Д. М., & Каримов, А. В. (2005). Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 27-30. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27
Номер
№ 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Ёдгорова Д. М., Каримов А. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.