Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора

  • Ю. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Ю. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • П. А. Яганов НТУУ «Киевский политехнический институт», Украина
  • В. Г. Дзюба НТУУ «Киевский политехнический институт», Украина
Ключові слова: нейронная сеть, аппроксимация, термометрическая характеристика, сенсор

Анотація

Для математического описания термометрических характеристик кремниевых термодиодных сенсоров впервые использован нейросетевой алгоритм аппроксимации экспериментальных данных. Достигнутая высокая точность аппроксимации (≈1,5 мК) в диапазоне температур 4,2–357 К позволила снять проблемы обработки экспериментальных данных полиномиальным методом аппроксимации.

Опубліковано
2005-10-30
Як цитувати
Шварц, Ю. М., Шварц, Ю. М., Яганов, П. А., & Дзюба, В. Г. (2005). Нейросетевая аппроксимация термометрической характеристики диодного сенсора. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 18-22. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.18
Номер
№ 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Шварц Ю. М., Яганов П. А., Дзюба В. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.