Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

  • Н. М. Вакив НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. Р. Завербный Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Д. М. Заячук НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • И. О. Мрыхин НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: GaAs, электрохимическое профилирование, барьер

Анотація

Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника. На примере эпитаксиальных структур GaAs показана высокая точность измерения концентрации носителей заряда на глубину не менее 10 мкм.

Опубліковано
2005-06-30
Як цитувати
Вакив, Н. М., Завербный, И. Р., Заячук, Д. М., Круковский, С. И., & Мрыхин, И. О. (2005). Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 40-45. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40
Номер
№ 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Вакив Н. М., Завербный И. Р., Заячук Д. М., Круковский С. И., Мрыхин И. О.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.