Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании

  • Г. П. Ковтун ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. И. Кравченко ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
  • А. И. Кондрик ННЦ «Харьковский физико-технический институт», Украина
Ключові слова: алюмоиттриевый гранат, метод Чохральского, температурный градиент, компьютерное моделирование

Анотація

Методом компьютерного моделирования исследована равномерность распределения модуля температурного градиента G(r) вдоль радиуса кристалла алюмоиттриевого граната вблизи фронта кристаллизации в момент перехода от ускоренной к медленной стадии выращивания в зависимости от теплопроводности конусной части. Расчеты проведены при различных диаметрах кристалла и тигля. Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение зависимости G(r) на фронте кристаллизации при малых значениях модуля G.

Опубліковано
2005-06-30
Як цитувати
Ковтун, Г. П., Кравченко, А. И., & Кондрик, А. И. (2005). Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 5-7. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.05
Номер
№ 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Ковтун Г. П., Кравченко А. И., Кондрик А. И.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.