Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

  • А. Ю. Бончик ИППМиМ им. Я. С. Пидстрыгача НАНУ, Львов, Украина
  • И. И. Ижнин НПП «Карат», Львов, Украина
  • С. Г. Кияк ИППМиМ им. Я. С. Пидстрыгача НАНУ, Львов, Украина
  • Г. В. Савицкий ИППМиМ им. Я. С. Пидстрыгача НАНУ, Львов, Украина
Ключові слова: GaAs, ионная имплантация, фотонный отжиг, концентрация носителей, активность примеси

Анотація

Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n-GaAs на подложках полуизолирующего GaAs. Полученные слои характеризуются следующими параметрами: толщина 0,1-0,3 мкм, концентрация электронов 1017–1018 см-3, подвижность 2000–3000 см2/(В·с).

Опубліковано
2005-06-30
Як цитувати
Бончик, А. Ю., Ижнин, И. И., Кияк, С. Г., & Савицкий, Г. В. (2005). Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 3-4. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.03
Номер
№ 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Бончик А. Ю., Ижнин И. И., Кияк С. Г., Савицкий Г. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.