Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"

Анотація

Показана возможность изготовления фототранзистора n–p–n-типа на основе двойной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел". Усиление фототока в фототранзисторе осуществляется только для толщин исходных образцов, сравнимых с диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Особенностью усиления является переход фототранзистора из высокоомного в низкоомное состояние при определенных напряжениях и уровне освещения. Чем выше уровень освещения, тем меньше напряжение перехода. Плотность токов через фототранзистор при таком переходе может достигать 60–100 мА/cм².