Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • И. П. Островский Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • С. М. Матвиенко Национальный университет «Львовская политехника», Украина
  • Ю. Р. Когут Национальный университет «Львовская политехника», Украина
Ключові слова: нитевидный кристалл, сенсор, криогенные температуры, коэффициент Зеебека

Анотація

Исследованы терморезистивные и термоэлектрические характеристики сильнолегированных нитевидных кристаллов Si-Ge, на основе которых создан датчик для измерения криогенных температур, работоспособный в условиях действия магнитных полей.

Опубліковано
2005-02-28
Як цитувати
ДружининA. A., Островский, И. П., Матвиенко, С. М., & Когут, Ю. Р. (2005). Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 26-27. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.26
Номер
№ 1 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2005 Дружинин А. А., Островский И. П., Матвиенко С. М., Когут Ю. Р.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.