Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей

  • П. А. Емцев НТУУ «Киевский политехнический институт», Украина
Ключові слова: транзистор с высокой подвижностью электронов, моделирование, определение параметров

Анотація

Приводится полуаналитическая методика определения параметров транзисторов с высокой подвижностью электронов, предусматривающая применение данных лишь об S-параметрах транзистора, измеренных в широком диапазоне частот. Даются основные сведения о декомпозиции модели. Приводится пример построения усилителя для проверки адекватности модели.

Опубліковано
2004-12-30
Як цитувати
Емцев, П. А. (2004). Малосигнальная модель транзистора в разработке СВЧ малошумящих усилителей. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 49-51. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.49
Номер
№ 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Емцев П. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.