КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации

  • В. Г. Вербицкий НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • В. И. Золотаревский НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Л. И. Самотовка НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Б. А. Балай НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • А. Ф. Вощинкин НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • В. Л. Коба НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • Е. С. Товмач НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
  • A. A. Явецкий НИИ микроприборов НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: КМОП БИС, n- и р-канальные МОП-транзисторы, радиационная стойкость, γ-излучение, микропроцессор, электрические параметры

Анотація

Приведены результаты проектирования и испытаний КМОП БИС 1834ВМ86 16-разрядного микропроцессора (функционального аналога n-канальной БИС 1810ВМ86) при воздействии накопленной дозы γ-радиации до 106 рад. Рассмотрены особенности конструкции элементов, технологического процесса изготовления радиационно стойких БИС. Представлены значения основных электрических параметров БИС и пороговых напряжений n-канальных транзисторов до и после применения радиационно-термических обработок в процессе изготовления кристалла.

Опубліковано
2004-12-30
Як цитувати
Вербицкий, В. Г., Золотаревский, В. И., Самотовка, Л. И., Балай, Б. А., Вощинкин, А. Ф., Коба, В. Л., Товмач, Е. С., & ЯвецкийA. A. (2004). КМОП БИС 16-разрядного микропроцессора, устойчивого к воздействию γ-радиации. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 40-44. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.40
Номер
№ 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Вербицкий В. Г., Золотаревский В. И., Самотовка Л. И., Балай Б. А., Вощинкин А. Ф., Коба В. Л., Товмач Е. С., Явецкий А. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.