Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs

  • С. И. Круковский НПП «Карат», Львов, Украина
  • Ю. Е. Николаенко НПП «Карат», Львов, Украина
Ключові слова: модули солнечных элементов, фотопреобразователи солнечной энергии, многослойные тандемные гетероструктуры, низкотемпературная ЖФЭ, КПД, p-n-переход

Анотація

Сообщается об изготовлении и исследовании модулей солнечных элементов на основе гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaA. Активная площадь модуля, собранного из двенадцати фотопреобразователей размерами 10×20 мм, составляла 21,12 см2. Измеренное при спектральных условиях АМ 1,5 значение кпд модуля достигало 28,5%, а максимальная мощность — 602 мВт.

Опубліковано
2004-12-30
Як цитувати
Круковский, С. И., & Николаенко, Ю. Е. (2004). Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 23-26. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.23
Номер
№ 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Круковский С. И., Николаенко Ю. Е.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.