Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

  • А. И. Власенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • З. К. Власенко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: CdHgTe, фотопроводимость, рекомбинация, люминесценция

Анотація

Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p-типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала.

Опубліковано
2004-12-30
Як цитувати
Власенко, А. И., & Власенко, З. К. (2004). Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (6), 7-10. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07
Номер
№ 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Власенко А. И., Власенко З. К.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.