Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов

  • З. В. Беришвили Тбилисский государственный университет, Грузия
  • Л. В. Джангидзе Тбилисский государственный университет, Грузия
  • Г. А. Схиладзе Тбилисский государственный университет, Грузия
  • Р. Г. Мелкадзе Тбилисский государственный университет, Грузия
  • Т. М. Лежнева Тбилисский государственный университет, Грузия
  • Г. Г. Перадзе Тбилисский государственный университет, Грузия
Ключові слова: гибридный детектор, флип-чип-технология, столбиковый вывод, арсенид галлия

Анотація

При изготовлении гибридных пиксельных детекторов ионизирующего излучения соединение сенсорной матрицы со считывающим устройством осуществляется с помощью столбиковых выводов по флип-чип-технологии. Разработан и исследован процесс формирования столбиковых выводов из Pb/Sn и In на сенсорных GaAs-матрицах. В качестве подстолбиковой металлизации предложена система TiW/Ag, осаждаемая методом магнетронного распыления. Приведены технологические режимы, последовательность операций и параметры полученных столбиков.

Опубліковано
2004-08-30
Як цитувати
Беришвили, З. В., Джангидзе, Л. В., Схиладзе, Г. А., Мелкадзе, Р. Г., Лежнева, Т. М., & Перадзе, Г. Г. (2004). Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 43-45. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.4.43
Номер
№ 4 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Беришвили З. В., Джангидзе Л. В., Схиладзе Г. Б., Мелкадзе Р. Г., Лежнева Т. М., Перадзе Г. Г.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.