Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов

  • Г. Г. Бабичев НИИ «Гелий», Винница, Украина
  • Г. И. Гаврилюк НИИ «Гелий», Винница, Украина
  • Э. А. Зинченко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. И. Козловский Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • В. А. Романов Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. Н. Шаран НИИ «Гелий», Винница, Украина
Ключові слова: преобразователь давления, тензотранзистор, тензочувствительность, управляющий р-n-переход, помехозащищенность, точность измерения, информативный сигнал, кремниевый

Анотація

Рассмотрен принцип работы однопереходных тензотранзисторов. Показано, что тензочувствительность однопереходного транзистора с управляющим р-n-переходом на порядок выше, чем у простого однопереходного транзистора. Сделан вывод о том, что предложенный преобразователь давления с частотным выходом имеет практический интерес для создания устройств с повышенными требованиями к помехозащищенности и точности измерения информационного сигнала.

Опубліковано
2004-06-30
Як цитувати
Бабичев, Г. Г., Гаврилюк, Г. И., Зинченко, Э. А., Козловский, С. И., Романов, В. А., & Шаран, Н. Н. (2004). Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 48-51. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.48
Номер
№ 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Бабичев Г. Г., Гаврилюк Г. И., Зинченко Э. А., Козловский С. И., Романов В. А., Шаран Н. Н.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.