Методы построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей с частотным принципом работы
Анотація
Представлены теоретические и экспериментальные исследования зависимости полного сопротивления транзисторных структур от воздействия температуры, света, давления и магнитного поля. Показано, что зависимости реактивной составляющей от воздействия вышеуказанных факторов являются существенными, что создает предпосылки построения микроэлектронных радиоизмерительных преобразователей. Рассчитаны и экспериментально исследованы функции преобразования и чувствительности. Приведены рекомендации по проектированию преобразователей.
Авторське право (c) 2004 Осадчук В. С., Осадчук А. В.

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.