Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge

  • Я. М. Олих Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • И. О. Лисюк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. Д. Тимочко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Ключові слова: ультразвуковое воздействие, изохронный отжиг, нейтронно легированный германий, радиационные дефекты

Анотація

Предложена методика отжига полупроводников в условиях воздействия ультразвука (f=5÷10 МГц, W<104 Вт/м2). На модельных образцах нейтронно легированного Ge (ГЭС-45, Фn≈1015 см-2) проведен изохронный отжиг радиационных дефектов (Тотж=90÷460°С, t=30 мин, ΔТотж=30°С). Представлены сравнительные результаты измерения электрофизических параметров (методом Холла в диапазоне Т=77÷300 К). Найдено, что механизм УЗ-воздействия сводится к ускорению диффузии точечных дефектов за счет снижения энергии активации и повышения концентрации неравновесных дефектов.

Опубліковано
2004-06-30
Як цитувати
Олих, Я. М., Лисюк, И. О., & Тимочко, Н. Д. (2004). Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 9-13. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09
Номер
№ 3 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Олих Я. М., Лисюк И. А., Тимочко Н. Д.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.