Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур

  • Т. С. Лебедева Институт кибернетики им. В. М. Глушкова НАН Украины, Киев, Украина
  • П. Б. Шпилевой Институт кибернетики им. В. М. Глушкова НАН Украины, Киев, Украина
  • И. Д. Войтович Институт кибернетики им. В. М. Глушкова НАН Украины, Киев, Украина
Ключові слова: контролируемое анодное окисление, профили анодирования, тонкопленочные структуры, экспресс-контроль, технология джозефсоновских устройств, наноструктурированные оксидные пленки

Анотація

Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования нано­структурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий.

Опубліковано
2003-10-31
Як цитувати
Лебедева, Т. С., Шпилевой, П. Б., & Войтович, И. Д. (2003). Применение контролируемого анодного окисления для экспресс-контроля в технологии пленок и тонкопленочных структур. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 42-46. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.42
Номер
№ 5 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Лебедева Т. С., Шпилевой П. Б., Войтович И. Д.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.