Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники
Ключові слова:
отрицательное сопротивление, микроэлектронная негатроника, переключение, высокоомное и низкоомное состояния, гальваномагниторекомбинационный эффект, полупроводниковая индуктивность
Анотація
Показано, что одновременное выращивание локальных пленок поли- и монокристаллического кремния легло в основу развития микроэлектронной негатроники — нового направления функциональной электроники. Сочетание в едином кристалле чувствительных элементов и аналогов негатронов позволяет создавать микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин с передачей сигналов на расстояние. Изложен взгляд на перспективы использования микроэлектронной негатроники, в том числе бионегатроники.
Опубліковано
2003-10-31
Як цитувати
Касимов, Ф. Д. (2003). Перспективы развития и применения микроэлектронной негатроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 5-8. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.5.05
Розділ
Articles
Авторське право (c) 2003 Касимов Ф. Д.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
