Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях

  • В. А. Москалюк НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. И. Тимофеев НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • А. В. Иващук НПП «Сатурн», Киев, Украина
Ключові слова: релаксационные параметры, GaAs, сильные электрические поля, время релаксации

Анотація

Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.

Опубліковано
2003-06-30
Як цитувати
Москалюк, В. А., Тимофеев, В. И., & Иващук, А. В. (2003). Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 61-64. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.61
Номер
№ 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Москалюк В. А., Тимофеев В. И., Иващук А. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.