Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков

  • Ю. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • M. М. Шварц Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • А. Н. Иващенко ДП «Сатурн-Микро», Киев, Украина
  • В. И. Босый НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • А. Г. Максименко ДП «Квазар-ИС», Киев, Украина
  • С. В. Сапон ДП «Квазар-ИС», Киев, Украина
Ключові слова: кремниевые диодные термодатчики, стойкость к механическим ударам и вибрациям, стойкость к климатическим и радиационным воздействиям

Анотація

Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.

Опубліковано
2003-06-30
Як цитувати
Шварц, Ю. М., ШварцM. М., Иващенко, А. Н., Босый, В. И., Максименко, А. Г., & Сапон, С. В. (2003). Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 59-60. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.59
Номер
№ 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Шварц Ю. М., Шварц М. М., Иващенко А. Н., Босый В. И., Максименко А. Г., Сапон С. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.