Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников

  • В. И. Босый НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • А. В. Иващук НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • В. Н. Ковальчук НПП «Сатурн», Киев, Украина
  • E. M. Семашко НПП «Сатурн», Киев, Украина
Ключові слова: мощные СВЧ‑транзисторы, гетероструктуры AlGaN/GaN, HEMT, надежность приборов

Анотація

Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.

Опубліковано
2003-06-30
Як цитувати
Босый, В. И., Иващук, А. В., Ковальчук, В. Н., & СемашкоE. M. (2003). Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 53-55. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.3.53
Номер
№ 3 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Босый В. И., Иващук А. В., Ковальчук В. Н., Семашко Е. М.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.