Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок

  • A. A. Клюканов Технический университет, Кишинев, Молдова
  • Е. A. Сенокосов Технический университет, Кишинев, Молдова
  • Д. Е. Богинский Технический университет, Кишинев, Молдова
  • В. В. Сорочан Технический университет, Кишинев, Молдова
  • Л. В. Фещенко Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, Тирасполь, Республика Молдова
Ключові слова: фотоприемники, низкоомные полупроводниковые пленки, распределение потенциалов, локальная засветка, позиционно‑чувствительные приборы

Анотація

Приводятся результаты теоретических расчетов функции распределения темнового и светового потенциалов по поверхности проводящего полупроводникового диска (пленки) с четырьмя квадратно расположенными по его краям электрическими контактами. Найдена аналитическая связь выходного напряжения такого фотоприемника с величиной тока, интенсивностью и координатами локальной засветки. Подтверждена возможность разработки на основе низкоомных фотопроводников нового класса позиционно-чувствительных приборов.

Опубліковано
2003-02-28
Як цитувати
КлюкановA. A., СенокосовЕ. A., Богинский, Д. Е., Сорочан, В. В., & Фещенко, Л. В. (2003). Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 49-51. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.49
Номер
№ 1 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 А. А. Клюканов, Э. А. Сенокосов, Д. Е. Богинский, В. В. Сорочан, Л. В. Фещенко

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.