Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb

  • Е. В. Андронова Херсонский национальный технический университет, Украина
  • Е. А. Баганов Херсонский национальный технический университет, Украина
  • А. Ю. Далечин Херсонский национальный технический университет, Украина
  • А. Ю. Карманный Херсонский национальный технический университет, Украина
Ключові слова: квантовые точки InSb, термофотовольтаические преобразователи, GaSb, спектральный диапазон, фоточувствительность, эффективность, оптические переходы, легирование

Анотація

Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.

Опубліковано
2003-02-28
Як цитувати
Андронова, Е. В., Баганов, Е. А., Далечин, А. Ю., & Карманный, А. Ю. (2003). Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 46-48. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.1.46
Номер
№ 1 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2003 Е. В. Андронова, Е. А. Баганов, А. Ю. Далечин, А. Ю. Карманный

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.