Численное моделирование лазерных фотоионизационных технологий очистки вещества на атомном уровне

Анотація

Впервые предложена и численно реализована методика моделирования оптимальных схем лазерных фотоионизационных технологий контроля и очистки вещества на атомном уровне (на примере анализа примесей Al в образце Ge). Схема лазерного фотоионизационного разделения включает на первом этапе возбуждение атомов примесей в образце посредством резонансного лазерного излучения, на втором этапе — перевод атомов в высоковозбужденные ридберговские состояния и затем ионизацию электрическим полем. Разработанный подход позволяет выбирать как оптимизированные значения ключевых физических параметров схем разделения, так и наиболее оптимальный вариант схемы в целом.