Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе

  • Ф. Д. Касимов ОКБ космического приборостроения, Баку, Азербайджан
  • A. Э. Лютфалибекова ОКБ космического приборостроения, Баку, Азербайджан
Ключові слова: арсенид галлия, полевой транзистор, γ-излучение, токоперенос, вторичные токи подложки

Анотація

Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.

Опубліковано
2002-10-30
Як цитувати
Касимов, Ф. Д., & ЛютфалибековаA. Э. (2002). Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4–5), 13-15. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.4-5.13
Номер
№ 4–5 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Касимов Ф. Д., Лютфалибекова А. Э.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.