Диагностика полупроводниковых структур при разработке и производстве изделий микроэлектроники

  • Л. Д. Буйко НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • В. Н. Пономарь НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • A. A. Солонинко НПО «Интеграл», Минск, Беларусь
Ключові слова: диагностика, полупроводниковые структуры,, аналитическое оборудование, монокристаллический кремний, контроль примесей, толщина пленок

Анотація

Показана эффективность использования уникального аналитического оборудования на круп-ном предприятии по разработке и производству изделий микроэлектроники. Аналитические средства обеспечивают входной контроль количественного состава примесей на уровне >1013 ат/см3 в монокристаллическом кремнии, полупроводниковых структурах, а также контроль геометрических размеров элементов изделий, толщин тонких (>1,0 нм) пленок диэлектриков, металлов и полупроводников.

Опубліковано
2002-02-28
Як цитувати
Буйко, Л. Д., Пономарь, В. Н., & СолонинкоA. A. (2002). Диагностика полупроводниковых структур при разработке и производстве изделий микроэлектроники. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 40-42. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2002.1.40
Номер
№ 1 (2002): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2002 Буйко Л. Д., Пономарь В. Н., Солонинко А. А.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.