Моделирование свойств CdZnTe и параметров детекторов γ-излучения на его основе

Анотація

Методом компьютерного моделирования исследовано время жизни и подвижность носителей заряда, удельное сопротивление материала Cd_xZn_1–xTe:Cl с целью поиска такого сочетания этих свойств и мольной доли CdTe, чтобы получить максимальную эффективность сбора зарядов в детекторе γ-излучения на основе этого материала. В качестве исходного принят типичный примесный состав, не зависящий от способа получения. Показано, что исследованный материал должен быть неоднородным, и установлено приблизительное распределение его свойств в межэлектродном пространстве детектора.