Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа

  • И. И. Рубцевич Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • Л. П. Ануфриев Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
  • А. Ф. Керенцев Филиал «Транзистор» ОАО «Интеграл», Минск, Беларусь
Ключові слова: MOSFET-транзистор, металлокерамический корпус, поверхностный монтаж, герметичность корпуса, тепловое сопротивление транзистора

Анотація

Исследованы процессы сборки MOSFET-транзисторов в металлокерамическом корпусе SMD-1 в сравнении с металлопластиковым корпусом SMD-220. Представлены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Показано, что тепловое сопротивление "p-n-переход – корпус" выше для SMD-1, однако согласованность по ТКЛР элементов корпуса SMD-1 позволяет изготавливать приборы с минимальными внутренними напряжениями и обеспечивать их высокую герметичность и надежность в условиях воздействия перепадов температур более 300°С.

Опубліковано
2004-10-30
Як цитувати
Рубцевич, И. И., Ануфриев, Л. П., & Керенцев, А. Ф. (2004). Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5), 54-55. вилучено із https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54
Номер
№ 5 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2004 Рубцевич И. И., Ануфриев Л. П., Керенцев А. Ф.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.