Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
Анотація
Представлено розрахунок і граничні вимоги для виробництва кремнієвих p–i–n-фотодіодів із підвищеною чутливістю, проведено узгодження теоретичних параметрів із реальними фотодіодами, виготовленими згідно з розрахунком. Описано особливості конструкції чотириелементного сегментного p–i–n-фотодіода з охоронним кільцем та технології, які дозволили створити прилад з імпульсною монохроматичною чутливістю 0,48 А/Вт.
Посилання
Sen'ko V. I., Panasenko M. V., Sen'ko E. V. et al. Electronics and Microcircuitry. Vol. 4: Power Devices. Book 2. Kyiv, Karavela, 2013, 316 p. [Ukr]
Budtolaev A. K., Liberova G. V., Khizhniak V. I. Increase in responsivity of silicon p-i-n photodiodes to the radiation of 1.06 μm wavelength. Applied physics, 2018, no. 5, pp. 47–49. [Rus]
Borovkov P. M., Kazarin L. N., Potapov A. V., Frolov N. V. A four-channel photodetector preamplifier module on the basis of a quadrant silicon photodiode for coordinate systems. Uspekhi prikladnoi fiziki, 2013, vol. 1, no. 5, pp. 621–624 [Rus]
Sizov F. F. Photoelectronics for vision systems in invisible spectrum regions. Kyiv, Academperiodika, 2008, 459 p. [Rus]
Litvinenko V. M. Physics and technology of semiconductor diodes: a monograph for specialists in the region. semiconductor technology and operation. devices. Kherson, Vyshemymyrskyi V. S., 2018, 183 p. [Ukr]
Zi S. [Semiconductor physics]. Moscow, Mir, 1984, 456 p. [Rus]
Noikin Yu. M., Mahno P. V. Physical basis of optical communication. Rostov-on Don, YuFU, 2011, 355 p. [Rus]
Kukurudziak M. S., Andreeva O. P., Lipka V. M. High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2020, no. 5–6, pp. 16–19. https://doi.org/10.15222/TKEA2020.5-6.16
Yakushenkov Yu. G. Essentials of the theory for optoelectronic devices design, Мoscow, Sovetskoe radio, 1971, 336 p. [Rus]
Sequin C. H., Tompsett M. F. Charge Transfer Devices. Academic Press, N.Y., 1975, 148 р.
Bruk V. A., Garshenin V. V., Kurnosov A. I. Production of semiconductor devices. Мoscow, Vysshaia shkola, 2006, 264 p. [Rus]
Zolochevskiy Yu.B., Romanov V.P., Sokolov A. Yu. Investigation of mobile ions charge neutralization at silicon dioxide – silicon – Mо – SіO2 – Sі interface. Mezdunarodnyi zhurnal prikladnyh i fundamentalnyh issledovaniy, 2016, no. 6–4, pp. 651–656. [Rus]
Hotra Z.Yu. Tehnolohia elektronnoi tehniki. Lviv, Lviv Polytechnic Publishing House, 2010, vol. 1, 884 p. [Ukr]
GOST 17772-88. [Photodetectors. Semiconductor photoelectric and phodotetector preamplifier modules. Photoelectric parameters measuring methods and characteristics determination]. [Rus]
Baranochnikov M. Priyemniki i detektory izlucheniy. Spravochnik [Receivers and detectors of radiation. Directory]. Moscow, “DMK Press” Publishing House, 2012.
PD 125K certificate. Retrieved from: http://ckb-rhythm.narod.ru/tablpin.htm
Data Sheet S15137. Retrieved from: https://www.hamamatsu.com/jp/en/product/optical-sensors/photodiodes/si-photodiodes/index.html
Data Sheet YAG-444-4. Retrieved from: https://www.excelitas.com/product/yag-444-4-series-quadrant-photodiodes-si-pin-113mm
Data Sheet QP154-Q. Retrieved from: https://www.first-sensor.com/en/products/optical-sensors/detectors/quadrant-pin-photodiodes-qp/
Авторське право (c) 2021 Кукурудзяк М. С., Добровольський Ю. Г.
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
