Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію

  • Анатолій Дружинін Національний університет «Львівськая політехніка», Львів, Україна https://orcid.org/0000-0002-4854-3464
  • Інна Мар'ямова Національний університет «Львівськая політехніка», Львів, Україна
  • Олексій Кутраков Національний університет «Львівськая політехніка», Львів, Україна
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2019.3-4.26
Ключові слова: ниткоподібні кристали, фосфід галію, сенсори, деформація, температура

Анотація

Проведено дослідження тензометричних характеристик ниткоподібних кристалів фосфіду галію р-типу провідності, легованих цинком. На основі цих кристалів створено сенсори деформації, працездатні в інтервалі деформацій ±1,2·10–3 відн. од. і широкому діапазоні температур — від 20 до 550°С.

Посилання

Kozin, S. A., Fedulov A.V., Pautkin V.Ye., Barinov I.N. [Microelectronic sensors of physical quantities based on MEMS technology]. Components & Technologies, 2010, no. 1, pp. 24–27. (Rus)

Druzhinin A., Maryamova I., Kutrakov A., Liakh-Kaguy N. Silicon whiskers for sensor electronics. Physics and Chemistry of Solid State, 2011, vol. 12, no. 4, pp. 1078–1084. (Ukr)

Shvarts Yu.M. Fizychni osnovy napivprovidnykovykh pryladiv ekstremal'noyi elektroniky. Diss. dokt. fiz.-mat. Nauk [Physical basics of semiconductor devices of extreme electronics. Dr. phys. and math. sci. diss.]. Kyiv, V.Ye. Lashkaryov ISP, 2004. (Ukr)

Аnyutin Е.А. Vysokotemperaturnyye pribory na osnove fosfida galliya: epitaksial’naya tekhnologiya, kontseptsiya legirovaniya, elektricheskiye svoystva. Diss. dokt. fiz.-mat. nauk [Gallium phosphide-based high-temperature devices: epitaxial technology, alloying concept, electrical properties. Dr. phys. and math. sci. diss]. St Petersburg, Ioffe Institute, 2009.

Mikhailov P.G. [Research on the creation of hightemperature sensor elements and structures]. Microsystem Technology, 2004, no. 8, pp. 38–44. (Rus)

Druzhynin A.O., Mar’yamova I.Y., Kutrakov O.P. Datchyky mekhanichnykh velychyn na osnovi nytkopodibnykh krystaliv kremniyu, hermaniyu ta spoluk A3B5 [Sensors of mechanical quantities based on whiskers of silicon, germanium and A3B5 compounds]. Lviv, Publishing house Lviv Polytechnic, 2015, 232 p. (Ukr)

Radautsan S.I., Maksimov YU.I., Negreskul V. V., Pyshkin S.L. Fosfid galliya [Gallium phosphide]. Chisinau, Institute of Applied Physics, 1969, 123 p. (Rus)

Опубліковано
2019-09-26
Як цитувати
Дружинін, А., Мар’ямова, І., & Кутраков, О. (2019). Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3–4), 26-30. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.3-4.26
Номер
№ 3–4 (2019): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2019 Дружинін А. О., Мар’ямова І. Й., Кутраков О. П.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.