Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості

  • В. П. Велещук Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • O. I. Власенко Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • З. К. Власенко Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • B. B. Шинкаренко Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • Я. Я. Кудрик Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • П. О. Сай Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України, Київ, Україна
  • B. B. Полтавський національний технічний університет імені Юрія Кондратюка, Полтавa, Україна
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2017.3.30
Ключові слова: RGB-світлодіод, електричні параметри, неоднорідність світіння, InGaN/GaN

Анотація

Розглянуто проблеми неоднорідності свічення світлодіодних RGB-екранів при низьких, мінімальних градаціях яскравості, що спричинені неоднорідністю свічення світлодіодів. Встановлено, що найбільший розкид електричних параметрів окремих RGB-світлодіодів (FM-Z3535RGBW) мають структури синього кольору випромінювання In0,2Ga0,8N/GaN. Вивчено розкид електричних параметрів окремих структур RGB-світлодіодів. Підтверджено технічну межу покращення якості світлодіодних екранів   можливість зниження тривалості навантажень до 6 — 8 нс на світлодіод.

Посилання

LED Fine Pitch Display Possible Problems and Driver IC Solutions. Macroblock 2015 [http://www.mblock.com.tw/support.php?Type= dl&KindID=3]

http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tlc5957.pdf

III-Nitride Devices and Nanoengineering. Ed. By Z.C. Feng. UK, London: Imperial College Press, 2008, 476 p.

Lee S.W., Oh D.C., Goto H., Ha J.S., Lee H.J., Hanada T., Cho M. W., Yao T., Hong S.K., Lee H.Y., Cho S.R., Choi J.W., Choi J.H., Jang J.H., Shin J.E., Lee J.S. Origin of forward leakage current in GaN-based light-emitting devices. Appl. Phys. Lett., 2006, vol. 89, р. 132117(3). http://dx.doi.org/10.1063/1.2357930.

Prudaev I.A., Golygin I.Yu., Shirapov S.B., Romanov I.S., Khludkov O.P. Tolbanov. Influence of temperature on the mechanism of carrier injection in light-emitting diodes based on InGaN/GaN multiple quantum wells. Semiconductors, 2013, vol. 47, nо 10, рр. 1382-1386. http://dx.doi.org/10.1134/ S1063782613100230.

Sorokin V.M., Kudryk Ya.Ya., Shynkarenko V.V., Kudryk R.Ya., Sai P.O. Degradation processes in LED modules. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, vol. 19, nо 3, рр. 248-254. http://dx.doi.org/10.15407/spqeo19.03.248.

Pei Y., Zhu S., Yang H., Zhao L., Yi X., Wang J., Li J. LED modulation characteristics in a visible-light communication system. Optics and Photonics Journal, 2013, nо 3, рр. 139-142. http://dx.doi.org/10.4236/opj.2013.32B034

Опубліковано
2017-06-17
Як цитувати
Велещук, В. П., ВласенкоO. I., Власенко, З. К., ШинкаренкоB. B., Кудрик, Я. Я., Сай, П. О., & B. B. (2017). Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (3), 30-35. https://doi.org/10.15222/TKEA2017.3.30
Номер
№ 3 (2017): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2017 В. П. Велещук, O. I. Власенко, З. К. Власенко, B. B. Шинкаренко, Я. Я. Кудрик, П. О. Сай, B. B.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.