Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
Анотація
Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p–i–n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p–i–n-структур.
Посилання
Balyko A.A., Zalyàlutdinova O.V., Ol’chev B.M., Yusupova N.I. [p—i—n-diodes switched and attenuators]. Electron engineering review. Ser. 1. Microwaves electronics, iss. 7 (1626), 1991, p. 71. (Rus)
Makarenko V. [Using a PIN-diode in controlled broadband attenuators]. Journal Equis, Electronic Components and Systems, 2012, no. 9, pp. 38-44. (Rus)
Usanov D. A., Skripal A. V., Kulikov M. Yu. Microstrip PIN diode microwave switch. Radioelectronics and Communications Systems, 2011, vol. 54, no. 4, pp. 216-218. http://dx.doi.org/10.3103/S0735272711040078
Inder J. Bahl. Control components using Si, GaAs, and GaN technologies. Artech House, 2014, 324 p.
Caverly R.H. Microwave and RF semiconductor contro device modeling. Artech House, 2016, 290 p.
Alaverdyan S.A., Bokov S.I., Bulgakov V.O., Zaicev N.A., Isaev V.M., Cabanov I.N., Katushkin Yu.Yu., Komarov V.V., Krenitskii A.P., Meshchanov V.P., Savushkin S.A., Syromyàtnikov A.V., Yàkunin A.S. [THz frequency range: electron component base, questions of metrological support]. Electron Engineering Review, Ser. 1, Microwaves electronics, Moscow, CNII “Electronics”, 2012. (Rus)
Karushkin N.F. [Characteristics of high-speed amplitude switches of the inverse-type operating in millimeter wave range]. Tekhnika i Pribory SVCh, 2010, no. 1, pp.11-15. (Rus)
Armstrong A. Monolithic control components for high power mm-waves. Microwave Journal, 1985, no 9, pp. 197-201.
Rahm M., Li J.-S., Padilla W.J. THz wave modulators: brief review on different modulation techniques. Journal of Infrared, Millimeter Wave and Terahertz Waves, 2013, vol. 34, pp. 1-27.
Vaisblat A.V. [Microwave switching devices on semiconductor diode]. Moscow, Radio i Sviaz’, 1987, 120 p. (Rus)
Waveguide Handbook. Ed. by N. Marcuvitz. Dover Publications Inc., 1965, 458 p.
Karushkin N.F. [Devices for microwave power switching and modulation in millimeter wave band]. Radiophysics and electronics, 2004, vol. 9, no 3, pp. 596-602. (Rus)
Karushkin N.F., Simonchuk V.I., Malyshko V.V., Orekhovskyi V.I. [Device for control of amplitude and phase of microwave signals in the millimeter wavelength range]. Tekhnika i Pribory SVCh, 2008, no. 1, pp. 36-41. (Rus)
Dzekhtser G.B., Orlov O.S. P-i-n-diody v shirokopolosnykh ustroistvakh SVCh [P—i—n-diodes in broadband microwave devices]. Moscow, Sovetskoe radio, 1970. (Rus)
SVCh-ustroistva na poluprovodnikovykh diodakh. Proektirovanie i raschet. [Microwave devices based on semiconductor diodes. Design and calculation]. Ed. by I.V. Malskii and B.V. Sestroretskii. Moscow, Sovetskoe radio, 1969. (Rus)
Karushkin N.F., Fialkovsky A.T. [Calculation of layered metal-dielectric structures of finite length, located in a rectangular waveguide]. Izvestiya Vuzov. Radiofizika, 1976, vol. XIX, no. 8, pp. 1218-1224. (Rus)
Авторське право (c) 2016 Н. Ф. Карушкин, В. В. Малышко, В. В. Ореховский, A. A. Тухаринов
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
