Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
Анотація
Проведен анализ и указаны возможные причины изменений характеристик глубоких уровней в высокоомном Cd0,9Zn0,1Te:Al после g-облучения и в течение пострадиационной релаксации. Исследована зависимость свойств плоскопараллельного детектора на основе Cd0,9Zn0,1Te:Al от концентрации и уровня энергии глубокого донора, а также от степени легирования алюминием. Определены условия деградации регистрирующих свойств детектора на начальном этапе его эксплуатации под воздействием агрессивной радиационной среды.
Посилання
Kondrik A. I. [Charges collection efficiency in gamma-ray detectors with different electrodes configuration]. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2012, no 4, pp. 47-51. (Rus)
Kondrik A. I. Effect of irradiation on properties of CdTe detectors. East European Journal of Physics, 2014, vol. 1, no 1, pp. 47-52.
Kondrik A. I. Influence of radiation-induced defects on CdTe and CdZnTe detectors properties. Problems of Atomic Science and Technology, Series: Physics of Radiation Effect and Radiation Materials Science, 2015, vol. 96, no 2, pp. 18-24.
Castaldini A., Cavalini A., Fraboni B. Deep levels in CdTe and CdZnTe. J. Appl. Phys., 1998, vol. 83, no 4, pp. 2121-2126.
Fraboni B., Pasquini L., Castaldini A., Cavallini A., Siffert P. X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd1–xZnxTe detectors. J. Appl. Phys., 2009, vol. 106, pp. 093713. http://dx.doi.org/10.1063/1.3253748
Hofmann D.M, Stadler W., Christmann P., Meyer B.K. Defects in CdTe and Cd1–xZnxTe. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 1996, vol. 380, no 1-2, pp. 117-120.
Pavlović M., Desnica U. V., Gladić J. Complete set of deep traps in semi-insulating GaAs. J. Appl. Phys., 2000, vol. 88, no 8, pp. 4563. http://dx.doi.org/10.1063/1.1308072
Pavlović M., Jakšić M., Zorc H., Medunić Z. Identification of deep trap levels from thermally stimulated current spectra of semi-insulating CdZnTe detector material. J. Appl. Phys., 2008, vol. 104, no 2, pp. 023525. http://dx.doi.org/10.1063/1.2959354
Ruihua Nan, Wanqi Jie, Gangqiang Zha, Bei Wang, Yadong Xu, Hui Yu. Irradiation-induced defects in Cd0.9Zn0.1Te:Al. Journal of Electronic Materials, 2012, vol. 41, no 11, pp. 2044-2049. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-012-2204-5
Akutagawa W., Zanio K. Gamma response of semiinsulating material in the presence of trapping and detrapping. J. Appl. Phys., 1969, vol. 40, no. 9, pp. 3838-3854. http://dx.doi.org/10.1063/1.1658281
Sadullaev A.B. [Status of impurity atoms with deep levels in semiconductors in a strong compensation]. Molodoy uchonyj, 2011, vol. 1, no. 12, pp. 48-50. (Rus)
Cavallini A., Fraboni B., Dusi W., Zanarini M., Siffert P. Deep levels and compensation in γ-irradiated CdZnTe. Appl. Phys. Lett., 2000, vol. 77, no 20, pp. 3212-3214. http://dx.doi.org/10.1063/1.1324980
Авторське право (c) 2016 А. И. Кондрик
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
