Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания

  • O. A. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
  • С. M. Кулиев Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз, Узбекистан, Ташкент
Ключові слова: фотоприемник, обратный ток, эффект смыкания, тонкая база, область объемного заряда, фоточувствительность, ограничитель напряжения

Анотація

Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+np-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+n-перехода из-за полного обеднения базовой области структура становится аналогом ограничителя напряжения, а в активном режиме при подсветке базовой области приобретает свойства фототранзистора.

Посилання

Nishida K., Taguchi K., Matsumoto Y. InGaAsP heterostructure avalanche photodiodes with high avalanche gain // Applied Physics Letters. 1979, vol. 35, no 3, pp. 251-252. http://dx.doi.org/10.1063/1.91089.

Margulis V. A., Pyataev M. A., Ulyanov S. N. [Photocurrent in a quantum channel with an impurity]. Fizika

i tekhnika poluprovodnikov. 2013, vol. 47, no 9, pp. 1209-1214. http://dx.doi.org/10.1134/S1063782613090145. (Rus)

Karimov A. V., Yodgorova D. M. [Some features of photocurrent generation in single and multibarrier photodiode structures]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 2010, vol. 44, no 5, pp. 647-652. http://dx.doi.org/10.1134/S1063782610050179. (Rus)

Shinkarenko V. G. [Phototransistor. Signal and threshold characteristics]. Elektromagnitnye volny i elektronnye sistemy. 2009, vol. 14, no 7, pp. 40-64. (Rus)

Vikulin I. M., Stafeev V. I. Fizika poluprovodnikovykh priborov [Physics of Semiconductor Devices]. Moscow: Radio i svyaz`, 1990, pp. 109-112. (Rus)

D`yakonov V. P. [Avalanche transistors yesterday, today and tomorrow]. Komponenty i tekhnologii. 2010, no 8, pp. 49-58. (Rus)

Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. [GaAs p+-n-p+ structures with depleted base area]. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature. 2009, no 3, pp. 28-31. (Rus)

Rakhmatov A. Z., Karimov A. V., Skornyakov S. P., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. [Small frameless voltage limiters]. Komponenty i tekhnologii. 2011, no 9, pp. 54-55. (Rus)

Karimov A.V., Yodgorova D.M. [An injection-type fieldemission photodiode]. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedenii. Radioelektronika. 2006, vol. 49, no 2, pp. 55-57. (Rus)

Vartanyan S. P. Optoelektronnye pribory i ustroistva v poligrafii [Optoelectronic devices and devices in the printing industry]. Moscow: Izdatel`stvo MGUP, 2000. (Rus)

Опубліковано
2015-08-25
Як цитувати
АбдулхаевO. A., Ёдгорова, Д. М., Каримов, А. В., & КулиевС. M. (2015). Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 24-27. https://doi.org/10.15222/TKEA2015.4.24