Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия

  • A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • И. И. Марьямова Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • А. П. Кутраков Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
  • Н. С. Лях-Кагуй Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2015.4.19
Ключові слова: антимонид галлия, датчик, гидростатическое давление

Анотація

Исследовано влияние гидростатического давления (до 5000 бар) на сопротивление нитевидных кристаллов антимонида галлия n-типа, легированных селеном или теллуром. Определена величина коэффициента гидростатического давления для этих кристаллов: КГ = (16,5 – 20,0).10–5 бар–1 при 20°С. Исследовано влияние температуры в диапазоне от –60 до +60 °С на сопротивление и коэффициент КГ этих кристаллов. Рассмотрена возможность уменьшения температурной зависимости сопротивления путем закрепления чувствительного элемента датчика на подложках из различных материалов с различным коэффициентом линейного термического расширения. Приведена конструкция разработанного датчика и его основные характеристики.

Посилання

Druzhinin A. O., Mar’yamova I. I., Kutrakov O. P. Datchiki mekhanichnikh velichin na osnovi nitkopodibnikh kristaliv kremniyu, germaniyu ta spoluk А3В5 [Sensors of mechanical quantities based on whiskers of silicon, germanium and compounds А3В5]. Lviv Polytechnic Publishing House, 2015, 232 p. (Ukr)

http://www.bdsensors.ua/products/product_info.php?id=39

Bernotas K. E., Gritsyus A. A., Zhilenis S. G., Petrovskii Ch. K. Semiconductor impulsive pressure sensor. Combustion, Explosion, and Shock Waves, 1986, vol. 22, iss. 2, pp. 256-258. http://dx.doi.org/10.1007/BF00749276

Krivorotov N. P., Izaak T. I., Romas L. M., Svinolupov Yu. G., Stchogol S. S. Microelectronic pressure sensors. Tomsk State University Journal, 2005, no. 285, pp. 139-147. (Rus)

Shimkyavichus Ch. S. [Pressure transducers based on gallium-aluminum arsenide]. Instruments and Systems: Monitoring, Control, and Diagnostics, 2004, no. 2, pp. 35-37. (Rus)

Sagar A. Experimental investigation of conduction band of GaSb. Physical Review, 1960, vol. 117, pp. 93-100. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRev.117.93

Keyes R. W., Pollak M. Effect of hydrostatic pressure on the piezoresistance of i-InSb, p-InSb and n-GaSb. Physical Review, 1960, vol. 118, pp. 1001-1007. http://dx.doi.org/10.1103/PhysRev.118.1001

Sagar A., Pollak M., Keyes R. W. Effects of high hydrostatic pressure on the electrical properties of n-type GaSb. Bulletin of the American Physical Society, 1960, vol. 5, no. 1, pp. 63.

Osadchii E. P. Proektirovanie datchikov dlya izmereniya mekhanicheskikh velichin [Design of sensors for measuring mechanical values]. Moscow, Mechanical Engineering, 1979, 480 p. (Rus)

Опубліковано
2015-08-25
Як цитувати
ДружининA. A., Марьямова, И. И., Кутраков, А. П., & Лях-Кагуй, Н. С. (2015). Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 19-23. https://doi.org/10.15222/TKEA2015.4.19
Номер
№ 4 (2015): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2015 Дружинин А. А., Марьямова И. И., Кутраков А. П., Лях-Кагуй Н. С.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.