Статистический анализ и оптимизация параметров тех­нологии изготовления биполярного транзистора с изоли­рованным затвором

  • B. B. Баранов Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • А. М. Боровик Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • И. Ю. Ловшенко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • B. P. Стемпицкий Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • Чан Туан Чунг Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
  • Ибрагим Шелибак Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Республика Беларусь
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2015.1.38
Ключові слова: биполярный транзистор с изолированным затвором, технологический процесс, конструкция, оптимизация, частотные и статические характеристики, отсеивающий эксперимент

Анотація

Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. Посредством проведения отсеивающего эксперимента выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение.

Посилання

Grekhov I. [Power semiconductor electronics and impulse technique] Vestnik rossiiskoi akademii nauk, 2008, no 2, pp. 106-115. (Rus)

Florentsev S. [Current state and forecast of power electronic devices development]. CTA (Contemporary Technologies in Automation), 2004, no 2, pp. 20-30. (Rus)

Khuri A.I., Mukhopadhyay S. Response surface methodology. Wiley Interdisciplinary Reviews — Computation Statistics, 2010, vol. 2, no 2, pp. 128-149.

Krasovsky G.I., Filaretov G.F. Experiment planning, Minsk, Publishing house BGU, 1982, 302 p. (Rus)

Arhipov V. А., Berezikov А. P. Osnovy teorii inzhenerno-fizicheskogo eksperimenta [Fundamentals of engineering and physics experiment theory]. Tomsk, Publishing house of Tomsk Polytechnic University, 2008, 206 p. (Rus)

Hartman, K., Lezki E., Schafer W. Statistische Versuchsplanung und -auswertung in der Stoffwirtschaft. Leipzig, VEB Deutscher Verlag fur Grundstoffindustrie, 1974, 439 p.

Nelayev V., Stempitsky V., Kovalevsky A. Program package for statistical analysis and optimization of IC technology. Proc. of the Int. Conf. MIXED 2004, Szczecin, Poland, 2004, pp. 242-246.

Khanna V. K. The insulated gate bipolar transistor IGBT: Theory and design. Wiley-IEEE Press, 2003, 648 p.

Michel M. Leistungselektronik. Berlin, Springer, 2011, 327 p.

Dodge J., Hess J. IGBT tutorial, Advanced Power Technology APT0201 Rev. B, 2002, 15 p.

Опубліковано
2015-02-24
Як цитувати
БарановB. B., Боровик, А. М., Ловшенко, И. Ю., СтемпицкийB. P., Чунг, Ч. Т., & Шелибак, И. (2015). Статистический анализ и оптимизация параметров тех­нологии изготовления биполярного транзистора с изоли­рованным затвором. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (1), 38-43. https://doi.org/10.15222/TKEA2015.1.38
Номер
№ 1 (2015): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2015 Баранов В. В., Боровик А. М., Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р., Чан Туан Чунг, Шелибак Ибрагим

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.