Investigation of contact resistivity for Au–Ti–Pd–n-Si ohmic contacts for impatt diodes

В. В. Басанец; B. C. Слепокуров; B. B. Шинкаренко; Р. Я. Кудрик; Я. Я. Кудрик

doi:10.15222/TKEA2015.1.33

В. В. Басанец Научно-исследовательский институт «Орион», Киев, Украина
B. C. Слепокуров Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
B. B. Шинкаренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
Р. Я. Кудрик Львовський национальный университет имени Ивана Франко, Львов, Украина
Я. Я. Кудрик Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2015.1.33

Ключові слова: удельное сопротивление, омический контакт, лавинно-пролетный диод, термополевая эмиссия

Анотація

Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au–Ti–Pd–n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 – 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 – 2.0)^.10^–5 Ом•см2. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 – 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, в диапазоне 200 – 360 К — термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.

Посилання

Acharyya A., Banerjee J.P. Prospects of IMPATT devices phased on wide bandgap semiconductors as potential terahertz sources. Applied Nanoscience, 2012, vol. 4, no 1, pp.1-14.

Belyaev A. E. , Basanets V. V., Boltovets N. S. et al. Effect of p-n junction overheating on degradation of silicon high-power pulsed IMPATT diodes. Semiconductors, 2011, vol. 45, no 2, pp. 253-259. (Rus)

Lebedev A.I. Fizika poluprovodnikovykh priborov [Physics of semiconductor devices]. Moskow, Fizmatlit, 2008, 488 р. (Rus)

Dieter K. Schroder. Semiconductor material and device characterization. NY, John Wiley & Sons, 2006, 779 p.

Bazu M., Bajenescu T. Failure Analysis: A practical guide for manufacturers of electronic components and systems. NY, J. Wiley & Sons, 2011, 340 p.

Belyaev A.E., Boltovets N.S., Venger E.F. et al. Physicotechnological aspects of degradation of silicon microwave diodes. Kyiv, Akademperiodyka, 2011, 182 p.

Cox R.H., Strack H. Ohmic contacts for GaAs devices. Sol. Stat. Electron, 1967, vol. 10, no 12, pp. 1213-1218.

Brillson L. J. Contacts to semiconductors: fundamentals and technology. NY, Noyes Publ., 1993, 680 p.

Simon M. Sze, Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices, NY, John Wiley & Sons, 2006, 832 p.

Padovani F.A., Stratton R. Field and thermionic-field emission in Schottky barriers, Sol. Stat. Electron, 1966, vol. 9, no 7, pp. 695-707.

Исследование удельного сопротивления омических кон­так­тов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов

Анотація

Посилання

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов