Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент

  • A. C. Гаркавенко Фирма «Гайстескрафт», Корнвестхайм, Германия
  • B. A. Мокрицкий Одесский национальный политехнический университет, Одесса, Украина
  • O. B. Банзак Одесская национальная академия связи им. О. С. Попова, Одесса, Украина
  • B. A. Завадский Одесская национальная морская академия, Одесса, Украина
Ключові слова: лазер, отжиг, электронный пучок

Анотація

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. В данной статье описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.

Посилання

Garkavenko O. S., Lyenkov S. V., Mokrits'kii V. A., Pashkov A. S. Napivprovidnikovi lazeri z elektronnim nakachuvannyam. Vol. 1. Mekhanizm generatsiyi. Vlastivosti viprominyuvannya [Semiconductor laser with electronic pumping. Volume 1. The mechanism of generation. Properties of radiation]. Odesa, Poligraf, 2006, 434 p. (in Ukranian)

Garkavenko O. S., Lyenkov S. V., Mokrits'kii V. A., Vidolob V. V. Napivprovidnikovi lazeri z elektronnim nakachuvannyam. Vol. 2. Aktivni seredovishcha. Rozrobka priladiv [Semiconductor laser with electronic pumping. Vol. 2. The active environment. Development of devices]. Odesa, Poligraf, 2006, 434 p. (in Ukranian)

Garkavenko A. S. Radiatsionnaya modifikatsiya fizicheskikh svoistv shirokozonnykh poluprovodnikov i sozdanie na ikh osnove lazerov bol'shoi moshchnosti [Radiation modification of the physical properties of wide bandgap semiconductors and creation on their basis of high-power lasers]. L'vov, ZUKTs, 2012, 258 p. (Rus)

Vavilov V. S., Kekelidze N. P., Smirnov L. S. Deistvie izluchenii na poluprovodniki [Effect of radiation on semiconductors]. Moscow, Nauka, 1988, 173 p. (Rus)

Ohtsuki Yoshi-Hiko. Charged beam interaction with solids. USA, Canada, Taylor & Francis, 1983, 248 p.

Matare H. F. Defect electronics in semiconductors. John Wilet & Sons Inc., 1971, 627 р.

Garkavenko A. S., Mokritskii V. A., Banzak O. V., Zavadskii V. A. Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2014, no 4, pp. 50-55. https://doi.org/10.15222/TKEA2014.4.50 (Rus)

Garkavenko A. S., Zubarev V. V., Lenkov S. V. et al. Novye lazernye metody, sredstva i tekhnologii [New laser techniques, equipment and tehnologies]. Odessa, Astroprint, 2002, 280 p. (Rus)

Lenkov S. V., Mokritskii V. A., Peregudov D. A., Tarielashvili G. T. Fiziko-tekhnicheskie osnovy radiatsionnoi tekhnologii poluprovodnikov [Physical and technical bases of semiconductors radiation technology]. Odessa, Astroprint, 2002, 296 p. (Rus)

Lenkov S. V., Mokritskii V. A., Garkavenko A. S. et al. Radiatsionnoe upravlenie svoistvami materialov i izdelii optoi mikroelektroniki [Radiation properties control of materials and products of opto- and microelectronics]. Odessa, Druk, 2003, 345 p. (Rus)

Garkavenko A. S., Kalendin V. V., Mokritskii V. A. [Temperature measurement via phase shift of laser radiation] Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, no 4’1992 – 1’1993, pp. 50-51 (Rus)

Garkavenko A. S. [The laser interference method of temperature control of solids] Mater. of scientific-tech. conf. "Leotest-98": Physical methods and control of materials and products. Kiev, Lvov, 1998, pp. 114-117. (Rus)

Mokritskii V.A., Lenkov S.V., Garkavenko O.S., Zavadskii V.A., Banzak O.V. [Analysis of the mechanisms of laser annealing CdS crystals] Collection of Scientific Papers of the Military Institute, Ukraine, Kiev, 2011, iss. 33, pp. 96-98. (in Ukranian)

Garkavenko A. S., Dmitriev A. I., Kalendin V. V., Levinskii B. N. [About possibility of measuring the relaxation time due to electron-hole scattering in semiconductors at high excitation level] Kvantovaya elektronika, Kiev, Naukova dumka, 1989, iss. 36, pp. 58-60. (Rus)

Garkavenko A. S., Gatalo M. S., Levinskii B. N. [Сalculation of the relaxation time due to electron-hole scattering in highly excited plasma in semiconductors]. Fizicheskaya elektronika, 1990, iss. 41, pp. 46-48. (Rus)

Garkavenko A. S. [Change of emission mechanisms in e-pumped lasers based on optically homogeneous, radiation-doped GaAs crystals]. Collection of Scientific Papers of the Military Institute, Ukraine, Kiev, iss. 32, pp. 15-21. (Rus)

Garkavenko A. S. [Fine structure of laser spectrum at electron-beam pumping based on radiation-modified optically homogeneous crystals of undoped GaAs]. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2011, no 5, pp. 27- 30. (Rus)

Опубліковано
2014-12-24
Як цитувати
ГаркавенкоA. C., МокрицкийB. A., БанзакO. B., & ЗавадскийB. A. (2014). Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (5–6), 51-56. https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2.51