Elements of solid state electronics based on soi-structures and si whiskers for cryogenic temperatures

A. A. Дружинин; И. П. Островский; Ю. Н. Ховерко; Р. Н. Корецкий

doi:10.15222/TKEA2014.2.46

A. A. Дружинин Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
И. П. Островский Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
Ю. Н. Ховерко Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина
Р. Н. Корецкий Национальный университет «Львовская политехника», Львов, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2.46

Ключові слова: поликремний, нитевидный кристалл, КНИ-структура, диаграмма Найквиста

Анотація

Представлены результаты исследования электрофизических свойств поликристаллических пленок кремния в структурах «кремний-на-изоляторе» и нитевидных кристаллов кремния в температурном диапазоне 4,2–70 К, полученные с помощью импедансных измерений в интервале частот от 10 Гц до 250 кГц. Показана возможность их использования в качестве элементов твердотельной электроники, работоспособных при криогенных температурах.

Посилання

Claeys C., Simon E. Perspectives of silicon-on-insulator technologies for cryogenic electronics. In book: Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices (Ed. by P.L.F. Hemment, V.S.Lysenko, A.N.Nazarov), Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 2000, vol. 73, рp.233-247.

Kamins T. Polycrystalline silicon for integrated circuits and displays. Dordrecht, Kluwer Academic Publ., 1998, p. 378.

Druzhinin A., Maryamova I., Kogut I., Pankov Yu., Khoverko Yu., Palewski T. Polysilicon-in-insulator layers at cryogenic temperatures and high magnetic fields. In book: Science and technology of semiconductor-on-insulator structures and devices operating in a harsh environment (Ed. by D.Flandre, A.N. Nazarov, P.L.F.Hemment), Kluwer Acad. Publishers, Dordrecht, vol. 185, 2005, pp. 297-302.

Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Khoverko Yu.M., Liakh-Kaguj N.S., Kogut Iu.R. Strain effect on magnetoresistance of SiGe solid solution whiskers at low temperatures. Materials science in semiconductor processing, 2011, vol. 14, no 1, pp. 18-22. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2010.12.012

Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Kogut Iu.R. [Whiskers of silicon, germanium, and their solid solutions in the sensor electronics]. Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2010, 200 p. (Ukr)

Grigorchak I.I., Ponedilok G.V. [Impedance spectroscopy]. Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2011, 352 p. (Ukr)

Druzhinin A.A., Kogut Iu.R., Khoverko Yu.M. [Structure of silicon-on-insulator electronics for the sensor]. Publishing House of Lviv Polytechnic National University, 2013, 236 p. (Ukr)

Druzhinin А., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Nichkalo S., Kogut Iu. Impedance spectroscopy of polysilicon in SOI structures. Physica Status Solidi (C), 2014, vol. 11, no 1, pp. 156-159.

Mora-Sero I., Bisquert J., Fabregat-Santiago F. et al. Implications of the negative capacitance observed at forward bias in nanocomposite and polycrystalline solar cells. Nano Letters, 2006, vol. 6, iss. 4, pp. 640-650. https://doi.org/10.1021/nl052295q

Impedance spectroscopy: theory, experiment and applications (Ed. by E.Barsoukov, J.R. Macdonald). New Jersey, Wiley-Interscience, 2005, 606 p.

Druzhinin A., Khoverko Yu., Kogut I., Koretskii R. Properties of low-dimentional polysilicon in SOI structures for low temperature sensors. Advanced Materials Research, 2014, vol. 854, pp. 49-55. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.854.49

Druzhinin A., Ostrovskii I., Khoverko Yu., Nichkalo S., Koretskyy R., Kogut Iu. Variable-range hopping conductance in Si whiskers. Phys. Status Solidi (A), 2014, vol. 211, 2iss. 2, рp. 504-508. https://doi.org/10.1002/pssa.201300162

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур

Анотація

Посилання