Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: theoretical background

A. C. Гаркавенко; B. A. Мокрицкий; O. B. Банзак; B. A. Завадский

doi:10.15222/TKEA2014.4.50

A. C. Гаркавенко Фирма «Гайстескрафт», Корнвестхайм, Германия
B. A. Мокрицкий Одесский национальный политехнический университет, Одесса, Украина
O. B. Банзак Одесская национальная академия связи им. О. С. Попова, Одесса, Украина
B. A. Завадский Одесская национальная морская академия, Одесса, Украина

DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.4.50

Ключові слова: лазер, отжиг, электронный пучок

Анотація

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.

Посилання

Bogdankevich O.V., Vavilov V.S., Danilychev V.A. et al. [Irradiation effect on the basic characteristics of semiconductor lasers made of gallium arsenide excited by an electron beam]. No 127, ASC LPI, Moskow, 1969. (Rus)

Bogdankevich O.V., Borisov N.A., Kalendin V.V., Kovsh I.B., Kryukova I.V. [Reduction kinetics of luminescence properties of single crystals of GaAs, irradiated by an intense beam of electrons]. Kvantovaya elektronika, 1972, no 11, pp. 108-110. (Rus)

Garkavenko O.S. , Mokrits'kii V.A., Lyenkov S.V., Banzak O.V., Zavads'kii V.A. [Laser radiation annealed CdS crystals]. Proc. of the confer. “Lazerni tekhnologiyi. Lazeri ta yikh zastosuvannya”, Ukraine, Truskavec, 2011, p. 54. (Ukr)

Mokrits'kii V.A., Lyenkov S.V., Garkavenko O.S., Zavads'kii V.A., Banzak O.V. [Analysis of the mechanisms of laser annealing CdS crystals] Collection of Scientific Papers of the Military Institute, Ukraine, Kiev, 2011, iss. 33, pp. 96-98. (Ukr)

Garkavenko O.S. [Radiation modification of the physical properties of wide bandgap semiconductors and creation on their basis of high-power lasers]. Lviv, ZUKC, 2012, 258 p. (Rus)

Bethe H. The influence of screening on the creation and stopping of electrons. Proc. Cambr. Phil. Soc., 1934, vol. 30, p. 524.

Bogdankevich O.V., Darznek S.A., Eliseev P.G. Poluprovodnikovye lazery [Semiconductor lasers]. Moskow, Nauka, 1976, 415 p. (Rus)

Pains D., Noz'er F. Teoriya kvantovykh zhidkostei [The theory of quantum liquids]. Moskow, Mir, 1967, 382 p. (Rus)

Kreft V.-D., Kremp D., Ebeling V., Repke G. Kvantovaya statistika sistem zaryazhennykh chastits [Quantum statistics of charged particles systems]. Moskow, Mir, 1988, 405 p. (Rus)

Vladimirov V.V., Volkov A.F., Meilikhov E.Z. Plazma poluprovodnikov [Semiconductor plasma] Moskow, Atomizdat, 1979, 354 p. (Rus)

Shilling G. Statisticheskaya fizika v primerakh [Statistical physics in the examples]. Moskow, Mir, 1976, 431 p. (Rus)

Vavilov V.S., Kekelidze N.P., Smirnov L.S. Deistvie izluchenii na poluprovodniki [Effect of radiation on semiconductors]. Moskow, Nauka, 1988, 173 p. (Rus)

Lenkov S.V., Mokritskii V.A., Garkavenko A.S. et al. Radiatsionnoe upravlenie svoistvami materialov i izdelii optoi mikroelektroniki [Radiation control properties of materials and products opto- and microelectronics]. Odessa, Druk, 2003, 345 p. (Rus)

Segre E. (Ed.) Experimental nuclear physics. Vol. 1. John Wiley, 1953.

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические пред­по­сы­л­ки

Анотація

Посилання

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки