Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения

  • С. И. Будзуляк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Д. В. Корбутяк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • А. П. Лоцько Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Н. Д. Вахняк Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • С. М. Калитчук Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • Л. А. Дем­чи­на Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • P. B. Конакова Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • B. B. Шинкаренко Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАНУ, Киев, Украина
  • A. B. Мельничук Нежинский государственный университет имени Николая Гоголя, Украина
DOI: https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2.45
Ключові слова: теллурид кадмия, фотолюминесценция, микроволновое излучение

Анотація

Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового из­лу­че­ния на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. По­ка­за­но, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные цен­т­ры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные ус­ло­вия для формирования дефектных центров (VСd–СlTe), на которых связываются экситоны. Де­та­ль­ные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар мо­но­крис­та­л­лов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного вза­и­мо­дей­ст­вия (фактор Хуанга — Рис) от времени облучения.

Посилання

Korbutyak D. V., Mel'nichuk S. V., Korbut Ye. V., Borisyuk M.M. [Cadmium Telluride: impurity-defect states and detector properties]. Kiev, Ivan Fedorov, 2000, 198 p.

Kul'chitskii N. A., Naumov A. V. Tsvetnaya metallurgiya, 2010, no 2, pp. 31-44. (Rus)

Del Sordo S., Abbene L., Caroli E. et al. (Review) Progress in the development of CdTe and CdZnTe semiconductor radiation detectors for astrophysical and medical applications. Sensors, 2009, vol. 9, pp. 3491-3526. http://dx.doi.org/10.3390/s90503491

Rzhanov A. V., Gerasimenko N. N., Vasil'ev S. V., Obodnikov V. I. Pis'ma v ZhTF, 1981, vol. 7, iss. 20, pp. 1221-1223. (Rus)

Vinnik E. V., Guroshev V. I., Prokhorovich A. V., Shevel'ev M. V. Optoelektronika i poluprovodnikovaya tekhnika, 1989, iss. 15, pp. 48-50. (Rus)

Kryshtab T. G., Semenova G. N., Litvin P. M. et al. Optoelektronika i poluprovodnikovaya tekhnika, 1996, iss. 31, pp. 140-145. (Rus)

Lee Y.-J., Cho T.-Ch., Chuang Sh.-Sh. et al. Low-temperature microwave annealing processes for future IC fabrication – a review. IEEE Transactions on electron devices, 2014, vol. 61, no 3, pp. 651-665.

Atanassova E. D., Belyaev A. E., Konakova R. V. et al. Effect of active actions on the properties of semiconductor materials and structures. Kharkiv, NTC “Institute for Single Crystals”, 2007, 216 р.

Soltani M., Certier M., Evrard R., Kartheuser E. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors. J. Appl. Phys, 1995, vol. 78, no 9, pp. 5626-5632.

Korbutyak D. V., Lotsko A. P., Vakhnyak N. D. et al. Effect of microwave irradiation on the photoluminescence of bound excitons in CdTe:Cl single crystals. Semiconductors, 2011, vol. 49, iss. 9, pp. 1133-1139. http://dx.doi.org/10.1134/S1063782611090119

Опубліковано
2014-08-29
Як цитувати
Будзуляк, С. И., Корбутяк, Д. В., Лоцько, А. П., Вахняк, Н. Д., Калитчук, С. М., Дем­чи­наЛ. А., КонаковаP. B., ШинкаренкоB. B., & МельничукA. B. (2014). Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения. Технологія та конструювання в електронній апаратурі, (4), 45-49. https://doi.org/10.15222/TKEA2014.2.45
Номер
№ 4 (2014): Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Розділ
Articles

Авторське право (c) 2014 Будзуляк С. И., Корбутяк Д. В., Лоцько А. П., Вахняк Н. Д., Калитчук С. М., Дем­чи­на Л. А., Конакова Р. В., Шинкаренко В. В., Мельничук А. В.

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.